光催化反应器的使用心得介绍

         CMP过程是一个动态的微细加工过程,通过化学腐蚀和机械力共同作用实现对待抛光面材料表面的平滑处理。在该过程中,抛光液中的化学组分与待抛光面材料发生反应,在待抛光材料表面形成一层很薄、结合力较弱的生成物;而抛光液中磨粒在压力和摩擦作用下对待抛光材料表面进行微量去除。此外,抛光过程抛光液还通过在抛光区域形成流体膜以及带动磨粒在抛光区运动影响抛光过程。在高端TC-SAW器件的制备过程中光催化反应器,叉指电极的表面粗糙度、以及叉指电极的图案化,在后续的材料生长过程中,由于保型性,最终的覆盖层上表面不是一个平整的表面,会导致波的覆盖层表面的传播特性受到影响,所以,必须要对覆盖层的上表面进行平坦化处理。另外,电极层、以及表面覆盖层的厚度也要精确的控制,从而实现对于器件频率一致性的精确控制。CMP加工的过程中,主要关注的参数包含设备参数、研磨液参数、抛光垫参数、CMP对象薄膜参数等。CMP是一种集机械学、流体力学、材料化学、精细化工、控制软件等多领城最先进技术于一体的设备,是集成电路制造设备中较为复杂和研制难度较大的设备之一。为了完成本项目,急需采购符合相关技术指标的化学机械研磨机。  尽管中国大陆地区的CMP设备市场规模较大,但高端CMP设备均依旧依赖于进口,前三大厂家应材公司、荏原公司、东京精密。应用材料的CMP设备是8寸制程开始,6寸制程现阶段只有研磨头,不配备清洗功能,且没有SAW滤波器的经验。荏原(Ebara)公司的CMP设备,有6寸支撑,至今为止,还未在大陆的SAW滤波器厂家有过购买使用经验光催化反应器,国能销售以及技术支持团队不能保证碎片率。东京精密的CMP设备在SAW滤波器行业具有广泛的应用,国外如村田、太阳诱电、RF360等高端滤波器厂家,都在使用其相关设备。 著作权归作者所有。

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